IRFPG40 Siliconix

Виробник: Siliconix
N-MOSFET 43A 1000V(1kV) 150W 3.5Ω IRFPG40 IRFPG40 TIRFPG40
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	99.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFPG40 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFPG40

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRFPG40	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC	товар відсутній
IRFPG40	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V	товар відсутній
IRFPG40	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPG40PBF	товар відсутній
IRFPG40	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET	товар відсутній