IRFR1010ZTRPBF

IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies


infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR1010ZTRPBF за ціною від 44.03 грн до 123.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1010zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d001f203f Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : INFINEON irfr1010zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d001f203f Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+76.27 грн
500+ 61.43 грн
1000+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : INFINEON irfr1010zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d001f203f Description: INFINEON - IRFR1010ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.68 грн
50+ 87.6 грн
100+ 76.27 грн
500+ 61.43 грн
1000+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1010zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d001f203f Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.32 грн
10+ 85.06 грн
100+ 67.72 грн
500+ 53.77 грн
1000+ 45.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1010Z_DataSheet_v01_01_EN-3363326.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.88 грн
10+ 90.58 грн
100+ 65.1 грн
250+ 63.21 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 46.31 грн
2000+ 44.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+123.02 грн
103+ 114.1 грн
120+ 98.02 грн
200+ 90.11 грн
500+ 76.98 грн
1000+ 62.16 грн
2000+ 60.37 грн
6000+ 57.15 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1010zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1010z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1010zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній