Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > IRFR120
IRFR120

IRFR120 Fairchild Semiconductor

FAIRS16395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
666+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 666
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR120 Fairchild Semiconductor

Description: 8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR120 за ціною від 30.92 грн до 30.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR120 Виробник : ONSEMI FAIRS16395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFR120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
802+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 802
IRFR120 Виробник : IR FAIRS16395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfr120.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR120 Виробник : IR FAIRS16395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfr120.pdf TO-252
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFR120 IRFR120 Виробник : Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFR120 IRFR120 Виробник : Vishay / Siliconix FAIRS16395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfr120.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFR120PBF
товар відсутній
IRFR120 IRFR120 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16141112116755-1191854.pdf MOSFET
товар відсутній