IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 23499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR120NTRLPBF за ціною від 21.47 грн до 65.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
на замовлення 11164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
на замовлення 11164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 15694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR120NTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |