IRFR214TRPBF-BE3

IRFR214TRPBF-BE3 Vishay Semiconductors


sihfr214.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 250V
на замовлення 5986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.86 грн
10+ 84.92 грн
100+ 57.07 грн
500+ 48.38 грн
1000+ 45.55 грн
2000+ 38.72 грн
10000+ 35.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR214TRPBF-BE3 Vishay Semiconductors

Description: N-CHANNEL 250V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFR214TRPBF-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR214TRPBF-BE3 IRFR214TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfr214.pdf Description: N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній