IRFR320PBF Vishay
Код товару: 128330
Виробник: VishayКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/20
Монтаж: THT
у наявності 81 шт:
55 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25 грн |
10+ | 22.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFR320PBF за ціною від 16.47 грн до 113.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 9864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 9875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp |
на замовлення 13966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm |
на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
З цим товаром купують
MB10S Код товару: 123173 |
Виробник: SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: SOIC-4
Uзвор, V: 800 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, А: 35 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: SOIC-4
Uзвор, V: 800 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, А: 35 A
у наявності: 5401 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.5 грн |
1000+ | 1.1 грн |
2,2uF 16V X7R 10% 0805 3k/reel (CL21B225KOFNNNG-Samsung) Код товару: 66993 |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 16 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 3147 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1.6 грн |
100+ | 1.4 грн |
1000+ | 1 грн |
100nF 200V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7RABB104 -Yageo) Код товару: 130578 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 200 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 200 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 2103 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
100+ | 1.7 грн |
1000+ | 1.5 грн |
620 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-620K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4549 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 620 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 620 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 46610 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |