Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR3410TRPBF
IRFR3410TRPBF

IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.034 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFR3410TRPBF за ціною від 21.44 грн до 72.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+27.4 грн
4000+ 25.97 грн
10000+ 25.6 грн
24000+ 24.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+27.48 грн
4000+ 25.16 грн
10000+ 24.36 грн
24000+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+27.89 грн
6000+ 25.58 грн
10000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.52 грн
4000+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+31.79 грн
4000+ 29.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.29 грн
4000+ 32.21 грн
10000+ 31.71 грн
24000+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.034 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.49 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.034 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+60.66 грн
50+ 52.61 грн
100+ 44.49 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+61.42 грн
216+ 54.04 грн
246+ 47.45 грн
257+ 43.78 грн
500+ 38.29 грн
1000+ 34.84 грн
2000+ 33.18 грн
4000+ 31.19 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Description: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 16323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.07 грн
100+ 41.32 грн
500+ 32.87 грн
1000+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.24 грн
11+ 57.07 грн
25+ 29.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363373.pdf MOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
на замовлення 31919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.07 грн
10+ 53.93 грн
100+ 37.93 грн
500+ 33.01 грн
1000+ 27.63 грн
2000+ 25.44 грн
4000+ 24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFR3410TRPBF транзистор
Код товару: 201152 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній