Технічний опис IRFR3708 IR
Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: D-Pak, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRFR3708
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR3708 | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR3708 | Виробник : IR |
TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFR3708 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2417 pF @ 15 V |
товар відсутній |