IRFR4105ZPBF

IRFR4105ZPBF Infineon


irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee
Код товару: 177671
Виробник: Infineon
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 21 A
Rds(on), Ohm: 24,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/18
Монтаж: SMD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR4105ZPBF Infineon

  • MOSFET, N, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:30A
  • On State Resistance:0.0245ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:TO-252
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:10.5mm
  • External Length / Height:2.55mm
  • External Width:6.8mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:48W
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:48W
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:120A
  • SMD Marking:IRFR4105ZPBF
  • Transistor Case Style:D-PAK

Інші пропозиції IRFR4105ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfr4105zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356321faf20ee Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товар відсутній
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR4105Z_DataSheet_v01_01_EN-1732811.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms 18nC
товар відсутній

З цим товаром купують

330pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B331K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1604
X7R_X5R.pdf
330pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B331K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 330 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 7370 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-30KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 3728
RC_series.pdf
30 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-30KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 30 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 6360 шт
очікується: 20000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
100+0.12 грн
1000+ 0.09 грн
10000+ 0.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 35905
1,0 kOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1475 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+1.5 грн
100+ 1.3 грн
1000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 10
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Код товару: 52241
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 6143 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+5.6 грн
100+ 5 грн
1000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
SR1060L
Код товару: 172859
datasheet-sr1060l.pdf
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-277
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 10 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 275 A
товар відсутній