Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

irfr5410pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm.

Інші пропозиції IRFR5410TRPBF за ціною від 20.64 грн до 116.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+36.9 грн
4000+ 35.28 грн
10000+ 33.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.38 грн
6000+ 36.11 грн
10000+ 34.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.55 грн
4000+ 37.81 грн
10000+ 36.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+59.97 грн
222+ 52.76 грн
253+ 46.32 грн
264+ 42.79 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 34.1 грн
2000+ 32.35 грн
4000+ 30.42 грн
8000+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 43057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.86 грн
500+ 51.11 грн
1000+ 34.41 грн
5000+ 33.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+85.38 грн
10+ 65.93 грн
25+ 60.22 грн
30+ 27.26 грн
81+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
137+85.68 грн
139+ 84.79 грн
176+ 66.52 грн
250+ 63.49 грн
500+ 34.76 грн
Мінімальне замовлення: 137
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 14295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.33 грн
10+ 75.04 грн
100+ 58.33 грн
500+ 46.4 грн
1000+ 37.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+99.48 грн
10+ 79.56 грн
25+ 78.73 грн
100+ 59.56 грн
250+ 54.59 грн
500+ 30.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.03 грн
10+ 80.61 грн
100+ 55.28 грн
500+ 46.8 грн
1000+ 38.12 грн
2000+ 36.12 грн
4000+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.45 грн
10+ 82.15 грн
25+ 72.27 грн
30+ 32.71 грн
81+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
на замовлення 43057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.08 грн
10+ 89.12 грн
100+ 64.86 грн
500+ 51.11 грн
1000+ 34.41 грн
5000+ 33.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR5410TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 693 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+23.82 грн
29+ 22.23 грн
100+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.44 грн
10+ 93.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5410TRPBF
Код товару: 185744 		irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній