IRFR5505 UMW
Виробник: UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR UMW TIRFR5505 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR5505 UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFR5505
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR5505 | Виробник : IR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR5505 | Виробник : IR |
07+ TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR5505 | Виробник : ir |
09+ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR5505 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFR5505 | Виробник : IR |
TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFR5505 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRFR5505 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
товар відсутній |