IRFS4020TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 42.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4020TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFS4020TRLPBF за ціною від 53.27 грн до 149.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Aud MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC Qg |
на замовлення 10331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 100W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFS4020TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |