Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4115TRLPBF
IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+98.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm.

Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 121.56 грн до 352.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+139.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+153.61 грн
250+ 139.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+162.9 грн
1600+ 134.32 грн
2400+ 126.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 18151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.17 грн
10+ 218.1 грн
100+ 176.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0103 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+271.98 грн
10+ 204.17 грн
50+ 184.8 грн
100+ 153.61 грн
250+ 139.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4115_DataSheet_v01_01_EN-3363386.pdf MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.31 грн
10+ 232.99 грн
100+ 164.07 грн
250+ 163.41 грн
800+ 123.55 грн
2400+ 121.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+321.14 грн
43+ 272.63 грн
57+ 207.62 грн
100+ 199.27 грн
200+ 174.12 грн
500+ 146.36 грн
1600+ 137.21 грн
Мінімальне замовлення: 37
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+352.39 грн
35+ 337.25 грн
50+ 324.4 грн
100+ 302.2 грн
250+ 271.33 грн
500+ 253.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній