IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 186.65 грн |
| 1600+ | 153.9 грн |
| 2400+ | 144.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS4229TRLPBF за ціною від 139.53 грн до 411.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg |
на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4229TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS4229TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS4229TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS4229TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |