IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 72.36 грн |
| 1600+ | 59.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.0345 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFS4615TRLPBF за ціною від 51.81 грн до 143.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.0345 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.0345 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |