на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU014PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU014PBF за ціною від 30.91 грн до 89.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU014PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp |
на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU014PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU014PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 3686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU014PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFU014PBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFU014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRFU014PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |