IRFU1010ZPBF

IRFU1010ZPBF International Rectifier


IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
562+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 562
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFU1010ZPBF International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFU1010ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFU1010ZPBF Виробник : IR IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFU1010ZPBF IRFU1010ZPBF Виробник : Infineon / IR international rectifier_irfr1010zpbf-1169116.pdf MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC
товар відсутній