IRFU220NPBF Infineon Technologies
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU220NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFU220NPBF за ціною від 21.02 грн до 90.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFU220NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFU220NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |