IRFU4510PBF Infineon Technologies
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFU4510PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFU4510PBF за ціною від 39.13 грн до 144.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFU4510PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm |
на замовлення 2856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| IRFU4510PBF |
IRFU4510PBF Транзисторы FETKY |
на замовлення 94 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |