IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ44VZSPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 92W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ44VZSPBF за ціною від 79.28 грн до 157.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC |
на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFZ44VZSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
товар відсутній |