IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3200+ | 29.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFZ46ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 82W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFZ46ZSTRLPBF за ціною від 37.45 грн до 125.4 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 68376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 6080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFZ46ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
товар відсутній |