IRG8P15N120KD-EPBF

IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier


IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+227.87 грн
Мінімальне замовлення: 90
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier

Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns, Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 98 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IRG8P15N120KD-EPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF Виробник : Infineon / IR irg8p15n120kdpbf-937943.pdf IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)