IRL3713PBF VBsemi

---

Код товару: 198923

Виробник: VBsemi
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT

у наявності 100 шт:

---

90 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	70 грн
10+	65 грн

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRL3713PBF VBsemi

Можливі заміни IRL3713PBF VBsemi

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRL3713PBF Код товару: 35005	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT	у наявності: 14 шт згорнути розгорнути 1 шт - склад 11 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна без ПДВ 1+ 85 грн 10+  77 грн купити

Інші пропозиції IRL3713PBF за ціною від 77 грн до 85 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRL3713PBF Код товару: 35005	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT	у наявності: 14 шт згорнути розгорнути 1 шт - склад 11 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна без ПДВ 1+ 85 грн 10+  77 грн купити
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товар відсутній	купити
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V	товар відсутній	купити
	IRL3713PBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB	товар відсутній	купити
	IRL3713PBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	товар відсутній	купити