IRL520NPBF Infineon Technologies
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRL520NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRL520NPBF за ціною від 23.41 грн до 70.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 8681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRL520NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRL520NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |