IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 253.89 грн |
| 3+ | 208.63 грн |
| 5+ | 180.81 грн |
| 13+ | 171.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRLB4030PBF за ціною від 127.54 грн до 321.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLB4030PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
на замовлення 13569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLB4030PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLB4030PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLB4030PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLB4030PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRLB4030PBF Код товару: 83396 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 180 A Rds(on), Ohm: 3,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 11360/87 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRLB4030PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLB4030PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |