Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLB8314PBF
IRLB8314PBF

IRLB8314PBF Infineon Technologies

116714363039863irlb8314pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLB8314PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLB8314PBF за ціною від 24.18 грн до 81.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
234+49.76 грн
282+ 41.36 грн
500+ 36.94 грн
Мінімальне замовлення: 234
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.47 грн
13+ 46.79 грн
100+ 38.9 грн
500+ 33.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+61.32 грн
273+ 42.79 грн
298+ 39.1 грн
299+ 37.61 грн
500+ 28.33 грн
1000+ 25.45 грн
2000+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.34 грн
10+ 46.01 грн
31+ 26.64 грн
84+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
50+ 52.13 грн
100+ 41.31 грн
500+ 32.86 грн
1000+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLB8314_DS_v02_00_EN-1732079.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.07 грн
10+ 57.22 грн
100+ 39.39 грн
500+ 33.41 грн
1000+ 27.17 грн
5000+ 24.31 грн
10000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.01 грн
10+ 57.34 грн
31+ 31.97 грн
84+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 130 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.97 грн
12+ 64.01 грн
100+ 45.98 грн
500+ 36.19 грн
1000+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB8314PBF Виробник : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRLB8314PBF
Код товару: 145201 		irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній