Продукція > VISHAY > IRLD024PBF
IRLD024PBF

IRLD024PBF Vishay

sihld24.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLD024PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLD024PBF за ціною від 27.61 грн до 127.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
272+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 272
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY IRLD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.63 грн
10+ 36.81 грн
25+ 32.87 грн
27+ 29.75 грн
74+ 28.37 грн
500+ 27.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY IRLD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.96 грн
6+ 45.87 грн
25+ 39.44 грн
27+ 35.7 грн
74+ 34.04 грн
500+ 33.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+75.03 грн
10+ 67.64 грн
100+ 59.55 грн
250+ 52.69 грн
500+ 44.76 грн
1000+ 40.31 грн
2000+ 39.59 грн
2500+ 34.82 грн
5000+ 34.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014899773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.44 грн
10+ 93.15 грн
100+ 76.01 грн
500+ 64.21 грн
1000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay Siliconix sihld24.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.46 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.39 грн
500+ 63.83 грн
1000+ 54.16 грн
2000+ 51.45 грн
5000+ 48.71 грн
10000+ 47.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihld24.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
на замовлення 7728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.09 грн
10+ 94.72 грн
100+ 73.73 грн
250+ 71.74 грн
500+ 64.9 грн
1000+ 52.34 грн
2500+ 52.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Транз. Пол. ММ N-HEXFET HD1 Udss=60V; Id=-2,5A; Pdmax=1,3W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+39.92 грн
10+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLD024PBF IRLD024PBF
Код товару: 104736 		sihld24.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/18
Монтаж: THT
товар відсутній
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRLD024PBF IRLD024PBF Виробник : Vishay sihld24.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній