IRLHM630TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 28.25 грн |
| 8000+ | 25.9 грн |
| 12000+ | 24.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLHM630TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0028 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLHM630TRPBF за ціною від 25.1 грн до 76.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 804000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V |
на замовлення 16253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM630TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHM630TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0028 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7 Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 10719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRLHM630TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 21A Drain-source voltage: 30V Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLHM630TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 21A Drain-source voltage: 30V Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |