IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLML5103TRPBF за ціною від 4.28 грн до 34.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 57575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
на замовлення 64570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
на замовлення 63023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 57575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 760 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25; Qg, нКл = 5.1 @ 10 В; Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23 |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : Ningbo KLS electronic co.,ltd |
P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
на замовлення 6317 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML5103TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |