IRLML6402 SLKOR
Виробник: SLKORTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 2.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6402 SLKOR
Description: 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRLML6402 за ціною від 3.07 грн до 4.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6402 | Виробник : MLCCBASE |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 MLCCBASE TIRLML6402 MLC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6402 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 HXY MOSFET TIRLML6402 HXY кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6402 | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 589 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6402 | Виробник : HUASHUO |
Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1601 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRLML6402 | Виробник : IR |
|
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| IRLML6402 | Виробник : IR |
07+ SOT-23 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| IRLML6402 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 34018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| IRLML6402 | Виробник : ir |
10+ |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| IRLML6402 | Виробник : IR |
10+ SOT-23 |
на замовлення 110767 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| IRLML6402 | Виробник : IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin Micro |
товар відсутній |
||||||
 |
IRLML6402 | Виробник : UMW |
Description: 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
IRLML6402 | Виробник : UMW |
Description: 20V 3.7A 1.3W 65MR@4.5V,3.7A 950 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||
 |
IRLML6402 | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товар відсутній |