IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies


infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm.

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182
irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 84 шт
очікується: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 15.9 грн

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 11.96 грн до 79.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.46 грн
4000+ 20.38 грн
10000+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.13 грн
4000+ 21.9 грн
10000+ 12.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 11573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+27.89 грн
6000+ 25.58 грн
10000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+32.3 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.26 грн
500+ 34.77 грн
1000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
219+53.54 грн
314+ 37.35 грн
343+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 219
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
198+59.26 грн
200+ 58.64 грн
249+ 47.03 грн
252+ 44.88 грн
500+ 35.3 грн
1000+ 23.44 грн
Мінімальне замовлення: 198
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Power dissipation: 39W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.66 грн
8+ 49.58 грн
10+ 47.08 грн
25+ 42.56 грн
37+ 21.98 грн
101+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.88 грн
10+ 53.13 грн
100+ 41.32 грн
500+ 32.87 грн
1000+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.52 грн
11+ 55.03 грн
25+ 54.45 грн
100+ 42.11 грн
250+ 38.59 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 21.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.44 грн
10+ 55.74 грн
100+ 39.06 грн
500+ 33.38 грн
1000+ 27.24 грн
2000+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
Power dissipation: 39W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.39 грн
5+ 61.79 грн
10+ 56.5 грн
25+ 51.07 грн
37+ 26.37 грн
101+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.39 грн
13+ 61.56 грн
100+ 44.26 грн
500+ 34.77 грн
1000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.72 грн
10+ 31.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній