Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2703TRPBF
IRLR2703TRPBF

IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.9 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR2703TRPBF за ціною від 23.53 грн до 69.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+25.39 грн
4000+ 24.67 грн
10000+ 23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+26.9 грн
4000+ 26.42 грн
10000+ 25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.95 грн
6000+ 26.55 грн
10000+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.08 грн
17+ 34.18 грн
25+ 33.84 грн
100+ 28.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+39.34 грн
500+ 31.77 грн
1000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.92 грн
50+ 46.67 грн
100+ 39.34 грн
500+ 31.77 грн
1000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.74 грн
10+ 53.96 грн
100+ 37.56 грн
500+ 33.46 грн
1000+ 28.21 грн
2000+ 25.92 грн
4000+ 25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.91 грн
10+ 55.12 грн
100+ 42.89 грн
500+ 34.12 грн
1000+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2703-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRLR2703TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній