Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905ZTRPBF
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 25.65 грн до 75.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.37 грн
6000+ 26.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+34.5 грн
1000+ 29.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+36.95 грн
1000+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.92 грн
500+ 42.42 грн
1000+ 33.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+65 грн
184+ 63.6 грн
230+ 50.76 грн
250+ 48.67 грн
500+ 36.59 грн
1000+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 180
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 9818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.63 грн
10+ 55.96 грн
100+ 43.5 грн
500+ 34.61 грн
1000+ 28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.19 грн
10+ 60.35 грн
25+ 59.05 грн
100+ 45.45 грн
250+ 40.44 грн
500+ 32.61 грн
1000+ 26.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+73.24 грн
188+ 62.35 грн
219+ 53.4 грн
231+ 48.87 грн
500+ 42.3 грн
1000+ 38.18 грн
2000+ 35.94 грн
Мінімальне замовлення: 160
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.84 грн
50+ 64.42 грн
100+ 53.92 грн
500+ 42.42 грн
1000+ 33.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN-3363699.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 34787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.95 грн
10+ 61.31 грн
100+ 41.4 грн
500+ 35.01 грн
1000+ 28.48 грн
2000+ 26.93 грн
4000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній