IRLR3705ZPBF

IRLR3705ZPBF


irlr3705z-datasheet.pdf
Код товару: 41262
Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRLR3705ZPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
LR3705 LR3705
Код товару: 189655
Виробник : JSMicro Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/44
Монтаж: SMD
у наявності: 44 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 49.5 грн

Інші пропозиції IRLR3705ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363495.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC
товар відсутній
IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF Виробник : Infineon (IRF) irlr3705z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній

З цим товаром купують

TS912BIDT
Код товару: 17951
description en.CD00000501.pdf
TS912BIDT
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: 16 V
BW,MHz: 0,8 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,4 V/µs
Температурний діапазон: -40...+125°C
Дод.параметри: Rail-to-Rail
К-сть каналів: 2
у наявності: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+65 грн
10+ 59 грн
680uH 10% (DR 0912 680uH Bochen) (Idc=0,5А, Rdc max=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm)
Код товару: 123707
dvk10000k-datasheet.pdf
680uH 10% (DR 0912 680uH  Bochen) (Idc=0,5А, Rdc max=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm)
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 680 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 680µH±10%, Idc=0.5А, Rdc мax=0.85 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
у наявності: 745 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
BSS138BK,215
Код товару: 131639
bss138bk_215.pdf
BSS138BK,215
Виробник: Nexperia
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
Монтаж: SMD
товар відсутній
3,3nF 6kV Z5V Z(-20/+80%) D<=10,8mm (KF3I332Z-L016BD11-Hitano)
Код товару: 3279
HI_Voltage_070726.pdf
3,3nF 6kV Z5V Z(-20/+80%) D<=10,8mm (KF3I332Z-L016BD11-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 6k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=10,8 mm
Part Number: KF3I332Z-L016B
у наявності: 2501 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
1000+ 6.5 грн
IRFR5305PBF
Код товару: 2560
irfr5305pbf.pdf
IRFR5305PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 500 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.7 грн