IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 91.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 99.99 грн до 269.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 5601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |