на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 216.22 грн |
10+ | 202.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S16800F-7BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7BLI - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 143 MHz, BGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 143MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IS42S16800F-7BLI за ціною від 140.35 грн до 245.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 8M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-7BLI - DRAM, SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 143 MHz, BGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54 Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 2Mx16bitx4 Access time: 7ns Clock frequency: 143MHz Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA54 Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory кількість в упаковці: 348 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IS42S16800F-7BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA54 Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 2Mx16bitx4 Access time: 7ns Clock frequency: 143MHz Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: TFBGA54 Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory |
товар відсутній |