Продукція > ISSI > IS61NLP51236B-200TQLI
IS61NLP51236B-200TQLI

IS61NLP51236B-200TQLI ISSI


61NLP_NVP102418B_51236B-319019.pdf Виробник: ISSI
SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1271.13 грн
10+ 1160.08 грн
25+ 997.41 грн
72+ 860.55 грн
288+ 859.89 грн
1008+ 846.53 грн
2520+ 767.09 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61NLP51236B-200TQLI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: QFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 18Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx36bit, Access time: 3ns, кількість в упаковці: 72 шт.

Інші пропозиції IS61NLP51236B-200TQLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS61NLP51236B-200TQLI IS61NLP51236B-200TQLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61NLP_NVP102418B_51236B.pdf Description: IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IS61NLP51236B-200TQLI IS61NLP51236B-200TQLI Виробник : ISSI 61nlp_nvp102418b_51236b.pdf SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 100-Pin LQFP
товар відсутній
IS61NLP51236B-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP102418B-200B3L.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
кількість в упаковці: 72 шт
товар відсутній
IS61NLP51236B-200TQLI Виробник : ISSI IS61NLP102418B-200B3L.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 18Mb SRAM
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Access time: 3ns
товар відсутній