Технічний опис IS61WV12816EDBLL-10TLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Access time: 10ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IS61WV12816EDBLL-10TLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV12816EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
| IS61WV12816EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS61WV12816EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP |
товар відсутній |
|
| IS61WV12816EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |