IS61WV25616BLL-10KLI ISSI
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 271.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616BLL-10KLI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-SOJ, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV25616BLL-10KLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ |
товар відсутній |
|
| IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ44 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Packaging: Tube Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256K x 16 Async SRA |
товар відсутній |
|
| IS61WV25616BLL-10KLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ44 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: SOJ44 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |