Технічний опис IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Access time: 10ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |