Технічний опис IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Access time: 10ns, Case: SOJ36, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ |
товар відсутній |
|
 |
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400mil), RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |