на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.74 грн |
| 10+ | 262.88 грн |
| 114+ | 199.44 грн |
| 266+ | 198.77 грн |
| 513+ | 191.49 грн |
| 1007+ | 182.21 грн |
| 2508+ | 172.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV5128EDBLL-10KLI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 36-SOJ, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 512K x 8.
Інші пропозиції IS61WV5128EDBLL-10KLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV5128EDBLL-10KLI | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ |
товар відсутній |
|
| IS61WV5128EDBLL-10KLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS61WV5128EDBLL-10KLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Packaging: Tube Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 36-SOJ Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 |
товар відсутній |
|
| IS61WV5128EDBLL-10KLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
товар відсутній |