на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 461.1 грн |
| 10+ | 415.36 грн |
| 25+ | 353.83 грн |
| 100+ | 280.4 грн |
| 270+ | 275.06 грн |
| 1080+ | 274.39 грн |
| 5130+ | 273.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS62WV51216EALL-55TLI ISSI
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tube, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS62WV51216EALL-55TLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS62WV51216EALL-55TLI | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
 |
IS62WV51216EALL-55TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
| IS62WV51216EALL-55TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 1.65...2.2V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS62WV51216EALL-55TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tube Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
| IS62WV51216EALL-55TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 55ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 1.65...2.2V |
товар відсутній |