IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 238.97 грн |
10+ | 213.72 грн |
100+ | 162.1 грн |
480+ | 156 грн |
960+ | 148.54 грн |
2880+ | 140.4 грн |
5280+ | 131.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS66WV51216EBLL-70BLI за ціною від 208.48 грн до 257.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS66WV51216EBLL-70BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, Mini-BGA, 48 Pin(s), 2.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IS66WV51216EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 70ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.5...3.6V кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||
IS66WV51216EBLL-70BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
товар відсутній |
||||||||
IS66WV51216EBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 70ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Operating voltage: 2.5...3.6V |
товар відсутній |