ISL9R30120G2

ISL9R30120G2 onsemi / Fairchild


ISL9R30120G2_D-2314471.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Diodes - General Purpose, Power, Switching 30A 1200V STEALTH
на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISL9R30120G2 onsemi / Fairchild

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції ISL9R30120G2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISL9R30120G2 Виробник : ON Semiconductor isl9r30120g2-d.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 100ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
ISL9R30120G2 ISL9R30120G2 Виробник : ON Semiconductor isl9r30120g2-d.pdf Rectifier Diode Switching 1.2KV 30A 100ns 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
ISL9R30120G2 ISL9R30120G2 Виробник : onsemi isl9r30120g2-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товар відсутній