ISL9V2040D3ST onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT 430V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 60.26 грн |
| 5000+ | 55.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9V2040D3ST onsemi
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ECoSPARK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A.
Інші пропозиції ISL9V2040D3ST за ціною від 56.08 грн до 141.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL9V2040D3ST | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk |
на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 430V 10A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 5421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V2040D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 10a 400V IGBT LL avalanche |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |