ISL9V3040S3ST onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
Description: IGBT 430V 21A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 139.85 грн |
1600+ | 115.31 грн |
2400+ | 108.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9V3040S3ST onsemi
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 21A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ISL9V3040S3ST за ціною від 103.31 грн до 284.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 430V 21A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.25V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 21A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST Код товару: 84352 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems |
товар відсутній |