Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ0702NLSATMA1
ISZ0702NLSATMA1

ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies

infineon-isz0702nls-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISZ0702NLSATMA1 за ціною від 30.11 грн до 90.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISZ0702NLSATMA1 ISZ0702NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e5c9c6e0d Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.49 грн
10+ 66.34 грн
100+ 51.59 грн
500+ 41.04 грн
1000+ 33.43 грн
2000+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISZ0702NLSATMA1 ISZ0702NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ0702NLS_DataSheet_v02_00_EN-2507335.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.35 грн
10+ 72.86 грн
100+ 49.2 грн
500+ 41.73 грн
1000+ 32.05 грн
5000+ 30.44 грн
10000+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISZ0702NLSATMA1 ISZ0702NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd7e5c9c6e0d Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товар відсутній