Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ330N12LM6ATMA1
ISZ330N12LM6ATMA1

ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ330N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a471e5375 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V.

Інші пропозиції ISZ330N12LM6ATMA1 за ціною від 34.56 грн до 103.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISZ330N12LM6ATMA1 ISZ330N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ330N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a471e5375 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.09 грн
10+ 74.85 грн
100+ 58.24 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 37.74 грн
2000+ 35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISZ330N12LM6ATMA1 ISZ330N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ330N12LM6_DataSheet_v02_00_EN-3084416.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.33 грн
10+ 83.48 грн
100+ 56.34 грн
500+ 47.75 грн
1000+ 38.89 грн
5000+ 34.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISZ330N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isz330n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній