Продукція > IXYS > IXBH10N170
IXBH10N170

IXBH10N170 IXYS

IXBH(T)10N170.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.17 грн
2+ 518.33 грн
5+ 490.03 грн
30+ 481.75 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH10N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns, Switching Energy: 6mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.

Інші пропозиції IXBH10N170 за ціною від 448.57 грн до 841.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBH10N170 IXBH10N170 Виробник : IXYS media-3322376.pdf IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+827.12 грн
10+ 733.77 грн
30+ 573.79 грн
120+ 540 грн
270+ 533.38 грн
510+ 488.98 грн
1020+ 448.57 грн
IXBH10N170 IXBH10N170 Виробник : IXYS IXBH(T)10N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 140W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 30nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+840.2 грн
2+ 645.92 грн
5+ 588.04 грн
30+ 578.1 грн
IXBH10N170 IXBH10N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+841.45 грн